中芯國(guó)際市值超1.2萬(wàn)億 存儲(chǔ)芯片板塊爆發(fā)。華為公司于5月25日正式提出“韜（τ）定律”，這是中國(guó)在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域首次提出指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。受此影響，存儲(chǔ)芯片板塊再度迎來(lái)爆發(fā)，多只概念股漲停，寒武紀(jì)、兆易創(chuàng)新等龍頭盤中創(chuàng)歷史新高，中芯國(guó)際總市值已達(dá)1.25萬(wàn)億元。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)與行業(yè)周期反轉(zhuǎn)、AI需求爆發(fā)、國(guó)產(chǎn)化加速等因素有關(guān)。經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻堅(jiān)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已實(shí)現(xiàn)從追趕到并跑的跨越，核心技術(shù)與國(guó)際巨頭差距持續(xù)縮小。今年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將于5月27日上會(huì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也正式啟動(dòng)IPO輔導(dǎo)。

多家券商研報(bào)顯示，存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)生了結(jié)構(gòu)性超級(jí)周期，產(chǎn)品緊缺或延續(xù)至2027年甚至更久。目前，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)格局中，國(guó)產(chǎn)企業(yè)在中高端市場(chǎng)正在加速替代，低端市場(chǎng)憑借成本優(yōu)勢(shì)填補(bǔ)缺口實(shí)現(xiàn)全面主導(dǎo)，在政策扶持、技術(shù)突破、產(chǎn)能釋放等多重因素驅(qū)動(dòng)下，行業(yè)正進(jìn)入加速突破期。

2026年5月以來(lái)，全球存儲(chǔ)芯片板塊呈現(xiàn)“國(guó)內(nèi)外聯(lián)動(dòng)、龍頭領(lǐng)漲、全線爆發(fā)”的格局，A股相關(guān)概念股持續(xù)領(lǐng)跑市場(chǎng)，海外存儲(chǔ)巨頭股價(jià)也同步創(chuàng)下歷史新高，行業(yè)景氣度獲得資本市場(chǎng)高度認(rèn)可。截至5月25日收盤，東芯股份、商洛電子、華虹公司股價(jià)漲停，中芯國(guó)際、云漢芯城、華大九天、精測(cè)電子、國(guó)科微等公司股價(jià)漲幅超過(guò)10%創(chuàng)新高。其中，兆易創(chuàng)新收盤收于515.60元／股，漲幅10%，觸及漲停并再度刷新新高，總市值突破3600億元；中芯國(guó)際盤中也創(chuàng)下157.6元／股的歷史新高，總市值達(dá)到1.25萬(wàn)億元；寒武紀(jì)股價(jià)也創(chuàng)下1435元／股的歷史新高。

“韜定律”提出以“時(shí)間縮微”替代“幾何縮微”，通過(guò)邏輯折疊等創(chuàng)新技術(shù)，持續(xù)壓縮信號(hào)傳播時(shí)延，不斷提升晶體管密度，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體與電子系統(tǒng)的持續(xù)演進(jìn)?；谠摱?，華為過(guò)去六年已成功設(shè)計(jì)并量產(chǎn)了381款芯片?！绊w定律”構(gòu)建了貫穿器件、電路、芯片到系統(tǒng)層面的多層級(jí)協(xié)同優(yōu)化體系。華為預(yù)計(jì)到2031年，基于該定律的高端芯片晶體管密度將達(dá)到1.4納米制程的同等水平。

5月份以來(lái)，大普微-UW股價(jià)上漲160.06%，位居板塊首位，國(guó)科微、同有科技、長(zhǎng)電科技漲幅分別為86.87%、82.32%、75.97%。117家存儲(chǔ)芯片概念股中有18家公司漲幅超過(guò)50%，108家公司股價(jià)實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)。從年內(nèi)來(lái)看，存儲(chǔ)芯片概念股中已有28家公司股價(jià)實(shí)現(xiàn)翻倍，63家股價(jià)漲幅大于50%，101家股價(jià)正增長(zhǎng)。存儲(chǔ)芯片指數(shù)年內(nèi)上漲62.75%，遠(yuǎn)超同期大盤的4.63%，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中最具賺錢效應(yīng)的細(xì)分賽道。從資金流向來(lái)看，半導(dǎo)體資金持續(xù)向存儲(chǔ)賽道集中，市場(chǎng)正在形成“業(yè)績(jī)驅(qū)動(dòng)-資金涌入-股價(jià)上漲”的正向循環(huán)。

全球來(lái)看，海外存儲(chǔ)芯片巨頭同樣迎來(lái)股價(jià)與業(yè)績(jī)的雙重爆發(fā)，三星、SK海力士及美光三大全球龍頭，2026年一季度業(yè)績(jī)均大幅超預(yù)期，股價(jià)同步創(chuàng)下歷史新高，帶動(dòng)全球存儲(chǔ)板塊行情共振。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)源于三大邏輯共振：一是行業(yè)周期反轉(zhuǎn)，2025年全球存儲(chǔ)行業(yè)減產(chǎn)超30%，庫(kù)存降至歷史低位，2026年供需缺口持續(xù)擴(kuò)大，價(jià)格進(jìn)入上行通道；二是AI需求全球爆發(fā)，AI服務(wù)器、大模型訓(xùn)練帶動(dòng)HBM、企業(yè)級(jí)SSD需求激增，成為行業(yè)增長(zhǎng)核心引擎；三是國(guó)產(chǎn)化加速，國(guó)內(nèi)政策大力扶持，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能釋放，A股存儲(chǔ)企業(yè)迎來(lái)業(yè)績(jī)與估值雙重提升。

國(guó)家層面，政府持續(xù)出臺(tái)專項(xiàng)政策，為國(guó)產(chǎn)替代提供堅(jiān)實(shí)政策保障。4月份，國(guó)家發(fā)改委等部門發(fā)布通知，明確線寬小于28納米的存儲(chǔ)企業(yè)可享受十年免征企業(yè)所得稅的優(yōu)惠政策。今年5月，國(guó)家發(fā)改委在月度新聞發(fā)布會(huì)上明確，十五五新型算力基礎(chǔ)設(shè)施投資預(yù)計(jì)超5萬(wàn)億元，存儲(chǔ)作為算力底座將獲得重點(diǎn)支持。此前，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期已完成募資，規(guī)模超3000億元，重點(diǎn)投向存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)制程、半導(dǎo)體設(shè)備等核心領(lǐng)域，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)與研發(fā)提供資金支撐。

地方政府也同步跟進(jìn)扶持政策，上海、北京、合肥等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚地出臺(tái)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)補(bǔ)貼政策，對(duì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等龍頭企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)建項(xiàng)目給予高額度設(shè)備補(bǔ)貼，對(duì)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的研發(fā)投入給予大幅稅收優(yōu)惠，構(gòu)建“國(guó)家+地方”協(xié)同扶持格局。工信部也提出了國(guó)內(nèi)DRAM、NAND的自給率提升目標(biāo)，指明產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

國(guó)外市場(chǎng)方面，2026年以來(lái)，三星、SK海力士、美光連續(xù)上調(diào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格，且明確三季度將繼續(xù)提價(jià)，行業(yè)漲價(jià)周期持續(xù)延長(zhǎng)。TrendForce預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2026年二季度一般型DRAM內(nèi)存的合約價(jià)將環(huán)比上漲58%-63%，而NAND閃存合約價(jià)則會(huì)環(huán)比上漲70%-75%。海外巨頭也在調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)，將70%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5、企業(yè)級(jí)SSD等高毛利AI專用產(chǎn)品，大幅縮減消費(fèi)級(jí)DRAM/NAND產(chǎn)能。美光已停掉部分消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品線，核心客戶供應(yīng)僅滿足一半至三分之二，進(jìn)一步加劇普通存儲(chǔ)供需緊張局面。此外，三大巨頭HBM產(chǎn)能全部售罄，訂單排至2027年，高端AI存儲(chǔ)供不應(yīng)求格局持續(xù)強(qiáng)化。

消費(fèi)電子、汽車電子等行業(yè)需求復(fù)蘇，也共同提振存儲(chǔ)行業(yè)的景氣度回升。2025年全球智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)回暖，2026年延續(xù)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，帶動(dòng)中低端DRAM、NAND需求穩(wěn)定增長(zhǎng)。汽車行業(yè)自動(dòng)駕駛、智能座艙對(duì)車載存儲(chǔ)需求激增，助力全球車載存儲(chǔ)市場(chǎng)成為存儲(chǔ)的新增長(zhǎng)極。

經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻堅(jiān)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已實(shí)現(xiàn)從追趕到并跑的跨越，核心技術(shù)與國(guó)際巨頭差距持續(xù)縮小。公開資料顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)芯片核心性能與國(guó)際一線產(chǎn)品差距不足5%，成功實(shí)現(xiàn)高端DRAM產(chǎn)品自主可控；長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一3D NAND存儲(chǔ)芯片廠商，其自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)已實(shí)現(xiàn)232層以上堆疊3D NAND量產(chǎn)，性能比肩三星、SK海力士旗艦產(chǎn)品。

今年5月，兩大國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭迎來(lái)關(guān)鍵資本節(jié)點(diǎn)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)5月27日上會(huì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式啟動(dòng)IPO輔導(dǎo)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科創(chuàng)板IPO招股書顯示，今年一季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收508億元，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)247.62億元，單季盈利已超過(guò)科創(chuàng)板全部上市公司的歸母凈利潤(rùn)總和。長(zhǎng)江存儲(chǔ)也同步實(shí)現(xiàn)高增長(zhǎng)，2026年一季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)超200%，3D NAND出貨量全球占比提升至15%，成為全球第三大NAND廠商。兩大龍頭IPO落地后，預(yù)計(jì)將募資超千億元，用于產(chǎn)能擴(kuò)建與技術(shù)研發(fā)，進(jìn)一步縮小與國(guó)際巨頭的產(chǎn)能差距。

中信證券認(rèn)為，需求端來(lái)看，AI推理驅(qū)動(dòng)eSSD成為NAND第一大下游；HBM容量2025/2026年同比增長(zhǎng)90%、35%；供給端高端DRAM產(chǎn)能占比2026年超過(guò)85%，消費(fèi)級(jí)被擠壓；庫(kù)存降至4周以下；DRAM/NAND價(jià)格2026將全年維持上漲。國(guó)產(chǎn)中長(zhǎng)江存儲(chǔ)／長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速追趕，存儲(chǔ)進(jìn)入長(zhǎng)周期范式轉(zhuǎn)移，供不應(yīng)求至少持續(xù)至2027年底，漲價(jià)貫穿2026全年。

招商證券研報(bào)也顯示，需求側(cè)AI推理→Agentic AI→Physical AI三階段拉動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)增長(zhǎng)；2026年全球九大云廠商資本開支8300億美元，同比增長(zhǎng)79%；供給側(cè)行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)周期為18–24個(gè)月，并且2027年前無(wú)大規(guī)模新增產(chǎn)能，HBM訂單已排至2027年，產(chǎn)能全售罄。AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性超級(jí)周期，產(chǎn)品緊缺或延續(xù)至2027年甚至更久。

目前，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)格局中，中高端市場(chǎng)國(guó)外廠商技術(shù)、產(chǎn)能、生態(tài)等優(yōu)勢(shì)短期難以打破，但國(guó)產(chǎn)企業(yè)正在加速替代，成為全球重要參與者；低端市場(chǎng)國(guó)際巨頭又減產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)企業(yè)憑借成本優(yōu)勢(shì)填補(bǔ)缺口實(shí)現(xiàn)了全面主導(dǎo)。在政策扶持、技術(shù)突破、產(chǎn)能釋放等多重因素驅(qū)動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片正進(jìn)入加速突破期。中芯國(guó)際市值超1.2萬(wàn)億 存儲(chǔ)芯片板塊爆發(fā)！