2nm芯片面臨哪些困境挑戰(zhàn)與考量(5)

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2026-06-02 17:47:33 財(cái)經(jīng)頭條

光子學(xué)或許能提供一個(gè)可行的過渡方案。近期關(guān)于將光波導(dǎo)嵌入玻璃基板的討論表明，這種方法可以顯著加快數(shù)據(jù)傳輸速度，且產(chǎn)生的額外熱量極少。面臨的挑戰(zhàn)包括如何防止玻璃開裂、如何在狹小空間內(nèi)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以及如何應(yīng)對(duì)熱致光漂移。值得慶幸的是，許多玻璃和硅的熱膨脹系數(shù)大致相同。

光學(xué)技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。掩模寫入技術(shù)的進(jìn)步使得在晶圓上印刷各種形狀（包括多邊形和曲線形狀）的精度大大提高。英特爾的塞爾表示，他們正在非常仔細(xì)地研究曲線形狀。這是一種權(quán)衡，因?yàn)橛?jì)算這些曲線形狀的成本更高，但精度也更高。所以這取決于需要多高的精度，因?yàn)槲⒄{(diào)也需要額外的成本。

另一種選擇是高數(shù)值孔徑（NA）的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。Intel 18A的設(shè)計(jì)允許使用單次EUV光刻，但展望未來，將不得不采用多次EUV光刻，而這正是用單次高NA EUV光刻替代多次低NA EUV光刻的機(jī)會(huì)所在。目前正在Intel 14A上進(jìn)行這方面的研究。已經(jīng)制定了設(shè)計(jì)規(guī)則，以便能夠同時(shí)使用這兩種技術(shù)。但隨著時(shí)間推移，如果能夠用單次高NA光刻替代低NA EUV，就能簡(jiǎn)化工藝流程并降低成本。

另一種選擇是在多芯片組件中組合不同類型的單元，這可以進(jìn)一步降低成本。IP是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵組成部分，當(dāng)然，IP是針對(duì)特定技術(shù)節(jié)點(diǎn)（例如2納米）進(jìn)行優(yōu)化的。通過這種混合設(shè)計(jì)理念，可以混合搭配不同的標(biāo)準(zhǔn)單元?？梢詫⒏咝阅軜?biāo)準(zhǔn)單元與低功耗標(biāo)準(zhǔn)單元以及高密度標(biāo)準(zhǔn)單元混合使用?，F(xiàn)在有更多類型的標(biāo)準(zhǔn)單元可供選擇，而工具必須非常智能地選擇它們，才能最大限度地發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。如果為了滿足高性能計(jì)算AI設(shè)計(jì)中非常高的性能目標(biāo)而到處使用高性能標(biāo)準(zhǔn)單元，那么將付出功耗和其他指標(biāo)方面的代價(jià)。但這種混合使用非常重要。

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