地方政府也同步跟進(jìn)扶持政策，上海、北京、合肥等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚地出臺(tái)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)補(bǔ)貼政策，對(duì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等龍頭企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)建項(xiàng)目給予高額度設(shè)備補(bǔ)貼，對(duì)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的研發(fā)投入給予大幅稅收優(yōu)惠，構(gòu)建“國(guó)家+地方”協(xié)同扶持格局。工信部也提出了國(guó)內(nèi)DRAM、NAND的自給率提升目標(biāo)，指明產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

國(guó)外市場(chǎng)方面，2026年以來(lái)，三星、SK海力士、美光連續(xù)上調(diào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格，且明確三季度將繼續(xù)提價(jià)，行業(yè)漲價(jià)周期持續(xù)延長(zhǎng)。TrendForce預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2026年二季度一般型DRAM內(nèi)存的合約價(jià)將環(huán)比上漲58%-63%，而NAND閃存合約價(jià)則會(huì)環(huán)比上漲70%-75%。海外巨頭也在調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)，將70%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5、企業(yè)級(jí)SSD等高毛利AI專用產(chǎn)品，大幅縮減消費(fèi)級(jí)DRAM/NAND產(chǎn)能。美光已停掉部分消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品線，核心客戶供應(yīng)僅滿足一半至三分之二，進(jìn)一步加劇普通存儲(chǔ)供需緊張局面。此外，三大巨頭HBM產(chǎn)能全部售罄，訂單排至2027年，高端AI存儲(chǔ)供不應(yīng)求格局持續(xù)強(qiáng)化。

消費(fèi)電子、汽車電子等行業(yè)需求復(fù)蘇，也共同提振存儲(chǔ)行業(yè)的景氣度回升。2025年全球智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)回暖，2026年延續(xù)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，帶動(dòng)中低端DRAM、NAND需求穩(wěn)定增長(zhǎng)。汽車行業(yè)自動(dòng)駕駛、智能座艙對(duì)車載存儲(chǔ)需求激增，助力全球車載存儲(chǔ)市場(chǎng)成為存儲(chǔ)的新增長(zhǎng)極。

經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻堅(jiān)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已實(shí)現(xiàn)從追趕到并跑的跨越，核心技術(shù)與國(guó)際巨頭差距持續(xù)縮小。公開(kāi)資料顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)芯片核心性能與國(guó)際一線產(chǎn)品差距不足5%，成功實(shí)現(xiàn)高端DRAM產(chǎn)品自主可控；長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一3D NAND存儲(chǔ)芯片廠商，其自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)已實(shí)現(xiàn)232層以上堆疊3D NAND量產(chǎn)，性能比肩三星、SK海力士旗艦產(chǎn)品。